Zasada działania i zakres zastosowań mikroskopu o słabym świetle EMMI/OBIRCH
Funkcja zmiany rezystancji wywołanej wiązką (OBIRCH) jest powszechnie integrowana z mikroskopem przy słabym świetle (EMMI) w systemie detekcji, znanym pod wspólną nazwą PEM (mikroskop fotoemisyjny). Oba uzupełniają się i mogą skutecznie radzić sobie z zdecydowaną większością trybów awarii.
EMMI
Mikroskop emisyjny (EMMI) (zakres długości fal: 400 nm do 1100 nm) to narzędzie służące do wykrywania i lokalizowania punktów uszkodzeń oraz wyszukiwania jasnych i gorących punktów. Poprzez wykrywanie fotonów wzbudzonych przez wiązanie dziur elektronowych i nośniki ciepła. W komponentach układów scalonych funkcja rozpoznawania EHP (par dziur elektronowych) emituje fotony. Na przykład, gdy napięcie polaryzacji zostanie przyłożone do złącza pn, elektrony z n są łatwo dyfundowane do p, a dziury p również łatwo ulegają dyfuzji do n, a następnie przeprowadzana jest rekombinacja EHP z dziurami na końcu p ( lub elektrony na końcu n).
Aplikacja:
Wyciek spowodowany wykryciem różnych defektów komponentów, takich jak defekty tlenków bramki, awaria wyładowań elektrostatycznych, zatrzaskiwanie i wyciek podczas weryfikacji obwodu, wyciek na złączu, polaryzacja przewodzenia i tranzystory działające w obszarze nasycenia, mogą zostać zlokalizowane przez EMMI, wykrywając uszkodzone punkty lub obszary wycieków w obszarze matrycy chipów do wykrywania obrazu CMOS i elastycznych ekranów ciekłokrystalicznych LED oraz wykrywają nierówny boczny rozkład prądu i wycieki tranzystorów chipowych typu LED.
Aplikacja:
1. Sprawdź okablowanie opakowania chipa i obwód wewnętrzny chipa pod kątem zwarcia.
2. Zwarcie i wyciek tranzystorów i diod.
3. Wady obwodów metalowych i zwarcia w panelu TFT LCD i PCB/PCBA.
4. Niektóre uszkodzone komponenty na PCB/PCBA.
5. Wyciek warstwy dielektrycznej.
6. Efekt blokowania ESD.
7. Ocena głębokości punktów awarii w opakowaniach 3D (Stacked Die).
8. Pozycjonowanie i wykrywanie nieotwartych punktów uszkodzeń w chipach (rozróżnianie opakowań w matrycy)
9. Analiza problemu zwarć o niskiej impedancji („10 omów”) jest powszechnie stosowana do analizy testowania niektórych nieotwartych próbek, a także lokalizacji uszkodzeń metalowych obwodów i komponentów na dużych płytkach PCB. Metalowa warstwa blokująca OBIRCH i INGAAS nie jest w stanie wykryć wycieków, zwarć i innych sytuacji, które również zostaną przy jej pomocy przeanalizowane.
Wykryte najważniejsze momenty:
Wada, która może powodować jasne plamy - Wyciek na złączu; Kontakt z włosami
