Jak używać multimetru do testowania modułu IGBT
1, określ polaryzację
Najpierw ustaw multimetr na pozycję R × 1k. Podczas pomiaru multimetru, jeśli rezystancja między jednym biegunem a pozostałymi dwoma biegunami jest nieskończona, a rezystancja między tym biegunem a pozostałymi dwoma biegunami jest nadal nieskończona po zamianie sond, wówczas ustalono, że ten biegun jest bramą (G). Zmierz pozostałe dwa bieguny za pomocą multimetru. Jeśli zmierzona rezystancja jest nieskończona, zastąp sondę i zmierz mniejszy opór. W pomiarze małej wartości rezystancji ustalono, że czerwona sonda jest podłączona do kolektora (c); Czarna sonda jest podłączona do emitera (E).
2, są dobre od złego
Ustaw multimetr na pozycję R × 10k, podłącz czarną sondę z kolektorem (c) IGBT i czerwonej sondy z emiterem (E) IGBT. W tym momencie wskaźnik multimetru wynosi zero. Dotknij zarówno bramy (G), jak i kolektora (c) jednocześnie palcami, a IGBT zostanie uruchomiony do przeprowadzenia. Wskaźnik multimetru zmienia się w kierunku niższego oporu i może przestać wskazywać na określoną pozycję. Następnie dotknij bramy (g) i emitera (e) jednocześnie palcami, a IGBT jest zablokowany, powodując wskaźnik multimetrowej powrócić do zera. W tym momencie można ustalić, że IGBT jest dobry.
3, dowolny wskaźnik można wykorzystać do wykrycia IGBT
Oceniając jakość IGBT, pamiętaj o ustawieniu multimetru na pozycję R × 10k, ponieważ wewnętrzne napięcie akumulatora każdego multimetru poniżej pozycji R × 1k jest zbyt niskie, a IGBT nie można włączyć podczas kontroli, uniemożliwiając określenie jakości IGBT. Tę metodę można również zastosować do wykrywania jakości tranzystorów w polu mocy (P-MOSFET).
Wykrywanie modułu IGBT falownika:
Ustaw cyfrowy multimetr na tryb testu diody i przetestuj charakterystykę diody do przodu i do tyłu między modułami IGBT C1 E1, C2 E2, a także między bramą G i E1, E2, aby ustalić, czy moduł IGBT jest nienaruszony.
Przykładając moduł sześciu fazowych. Zdejmij przewody faz U, V i W po stronie obciążenia, użyj trybu testowego diodowego, podłącz czerwoną sondę do P (Collector C1) i zmierz U, V i W sekwencyjnie za pomocą czarnej sondy. Multimetr wyświetla maksymalną wartość; Odwróć sondę, podłącz czarną sondę do P i użyj czerwonej sondy do pomiaru U, V i W. Multimetr wyświetla wartość około 400. Podłącz czerwoną sondę do N (emiter E2) i czarną sondę do pomiaru U, V i W. Multimetr wyświetla wartość około 400; Podłącz czarną sondę do P, mierz U, V i W za pomocą czerwonej sondy, a multimetr wyświetla maksymalną wartość. Charakterystyka do przodu i do tyłu między każdą fazą powinna być taka sama. Jeśli istnieje różnica, oznacza to, że wydajność modułu IGBT pogorszyła się i należy ją wymienić. Gdy moduł IGBT jest uszkodzony, występują tylko sytuacje rozpadu i zwarcia.
Sondy czerwone i czarne są używane do pomiaru charakterystyki do przodu i do tyłu między bramą G a emiterem E. Jeśli multimetr mierzy maksymalną wartość dwukrotnie, można ustalić, że brama modułu IGBT jest normalna. Jeśli istnieje wyświetlacz numeryczny, wydajność bramki ulegnie pogorszeniu i ten moduł należy wymienić. Gdy wyniki testu do przodu i do tyłu wynoszą zero, wskazuje, że wykryta brama o jednej fazie została rozbita i zwarta. Po uszkodzeniu bramy regulator napięcia, który chroni bramę na płytce obwodu, również rozpadnie się i zostanie uszkodzony.
