Jak używać multimetru do pomiaru modułu igbt
Najpierw określ polaryzację
Po pierwsze multimetr ustawiony w bloku R×1K, zmierzony multimetrem, jeśli biegun i dwa pozostałe bieguny rezystancji do nieskończoności, po przełączeniu bieguna i pozostałych dwóch biegunów rezystancji nadal są w nieskończoności, to ocenia się, że ten biegun jest bramą (G). Pozostałą część dwóch biegunów mierzymy multimetrem, jeśli zmierzona wartość rezystancji jest nieskończona, po włączeniu pióra do pomiaru wartość rezystancji jest mniejsza. Przy pomiarze wartość rezystancji jest niewielka w czasie, ocena czerwonym długopisem podłączonym do kolektora (C); czarny długopis podłączony do emitera (E).
Po drugie, aby określić dobro i zło
Multimetr zostanie wybrany w bloku R × 10K, czarnym pisakiem do kolektora IGBT (C), czerwonym pisakiem do emitera IGBT (E), tym razem wskazówka multimetru w pozycji zerowej. Dotknij jednocześnie palcem bramki (G) i kolektora (C), co spowoduje przełączenie tranzystora IGBT w celu przewodzenia, a wskazówka multimetru przesunie się w kierunku mniejszej wartości rezystancji i może wskazać określoną pozycję. Następnie dotknij palcem jednocześnie bramki (G) i emitera (E), wówczas IGBT zostaje zablokowany, a wskazówka multimetru wraca do zera. W tym momencie można ocenić, że IGBT jest dobry.
Do testowania IGBT można użyć dowolnego multimetru wskaźnikowego.
Należy pamiętać, że oceniając dobry lub zły IGBT, multimetr należy wybrać w bloku R×10K, ponieważ wewnętrzne napięcie akumulatora multimetru poniżej bloku R×1K jest zbyt niskie, aby IGBT przewodził podczas wykrywania dobrego lub złego i nie można ocenić, czy IGBT jest dobry, czy zły. Metodę tę można również zastosować do wykrycia tranzystora polowego mocy (P-MOSFET).
Wykrywanie modułu IGBT falownika:
Wybierz multimetr cyfrowy do pliku testu diody, przetestuj charakterystykę diody modułu IGBT między c1 e1, c2 e2 oraz charakterystykę diody w przód i w tył między bramką G a e1, e2, aby określić, czy moduł IGBT jest nienaruszony.
Weźmy jako przykład moduł sześciofazowy. Strona obciążenia fazy U, V, W usuwania drutu, użycie przyrządu do testowania diod, czerwony długopis podłączony do P (kolektor c1), czarny długopis do pomiaru U, V, W, multimetr wyświetla wartość maksymalną; zostanie odwrócony, czarny długopis podłączony do P, czerwony długopis do pomiaru U, V, W, multimetr wyświetla wartość około 400. Następnie podłącz czerwony długopis do N (emiter e2), czarny długopis do pomiaru U, V, W, multimetr pokaże wartość około 400; czarny długopis do P, czerwony długopis do pomiaru U, V, W, multimetr pokazuje wartość maksymalną. Pozytywne i negatywne cechy każdej fazy powinny być takie same, jeśli istnieje różnica między pogorszeniem wydajności modułu IGBT, należy je wymienić. Uszkodzenie modułu IGBT, jedynie awaria sytuacji zwarciowej.
Pomiędzy bramką G a emiterem E zmierzono czerwone i czarne pisaki, dodatnie i ujemne charakterystyki multimetru, dwie zmierzone wartości są największe, wówczas można stwierdzić, że bramka modułu IGBT jest normalna. Jeżeli na wyświetlaczu numerycznym pojawi się informacja o pogorszeniu się pracy bramy, moduł należy wymienić. Gdy dodatnie i ujemne wyniki testu wynoszą zero, oznacza to, że doszło do zwarcia w fazie bieguna bramki. Gdy brama zostanie uszkodzona, regulator napięcia płytki drukowanej chroniącej bramę również zostanie uszkodzony.
